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BBY6605WE6327HTSA1

BBY6605WE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BBY6605WE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BBY6605WE6327HTSA1
설명 DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,028
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BBY6605WE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BBY6605WE6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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  • BBY6605WE6327HTSA1 Distributor

BBY6605WE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F13.5pF @ 4.5V, 1MHz
커패시턴스 비율5.41
커패시턴스 비율 조건C1/C4.5
전압-피크 역방향 (최대)12V
다이오드 유형1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지PG-SOT323-3

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2.6

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

ML3-N2

BB 689-02V E7908

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

23.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

BBY5102VH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

3.7pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

7V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

BB178,115

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.754pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

15

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

ZMV932TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

5.5pF @ 4V, 50MHz

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

12V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 4V, 50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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