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BAP65-02,135

BAP65-02,135

참조 용

부품 번호 BAP65-02,135
PNEDA 부품 번호 BAP65-02-135
설명 RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP65-02 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP65-02,135
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP65-02, BAP65-02 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 160.77 KB)
PDFBAP65-02 데이터 시트 표지
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BAP65-02 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.375pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F350mOhm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)715mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Isolated

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

600V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TA)

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Cross Over

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

8Ohm @ 10mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-143

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