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BA283-TR

BA283-TR

참조 용

부품 번호 BA283-TR
PNEDA 부품 번호 BA283-TR
설명 RF DIODE STANDARD 35V DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA283-TR 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA283-TR
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA283-TR, BA283-TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 98.66 KB)
PDFBA283-TR 데이터 시트 표지
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BA283-TR 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 3V, 100MHz
저항 @ If, F900mOhm @ 10mA, 200MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-2

BAT1504RE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

18Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Pair CA + CC

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

125mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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