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AT45DB321C-CU

AT45DB321C-CU

참조 용

부품 번호 AT45DB321C-CU
PNEDA 부품 번호 AT45DB321C-CU
설명 IC FLASH 32M SPI 40MHZ 24CBGA
제조업체 Microchip Technology
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AT45DB321C-CU 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB321C-CU
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB321C-CU, AT45DB321C-CU 데이터 시트 (총 페이지: 40, 크기: 716.6 KB)
PDFAT45DB321C-TC 데이터 시트 표지
AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 2 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 3 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 4 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 5 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 6 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 7 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 8 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 9 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 10 AT45DB321C-TC 데이터 시트 페이지 11

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  • AT45DB321C-CU Distributor

AT45DB321C-CU 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지24-CBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-VLGA

공급자 장치 패키지

52-VLGA (18x14)

CY7C026AV-25AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS43TR16256AL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

IS61NVP102418-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-LQFP (14x20)

NM27C256QE150

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - UV

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

28-CDIP

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