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AT25DN256-SSHF-B

AT25DN256-SSHF-B

참조 용

부품 번호 AT25DN256-SSHF-B
PNEDA 부품 번호 AT25DN256-SSHF-B
설명 IC FLASH 256K SPI 104MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,820
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT25DN256-SSHF-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT25DN256-SSHF-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT25DN256-SSHF-B, AT25DN256-SSHF-B 데이터 시트 (총 페이지: 39, 크기: 2,138.35 KB)
PDFAT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 표지
AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 2 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 3 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 4 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 5 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 6 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 7 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 8 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 9 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 10 AT25DN256-MAHF-Y 데이터 시트 페이지 11

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AT25DN256-SSHF-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 1.75ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

M29W640FT70N6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

MT40A512M16LY-075:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.33GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (7.5x13.5)

MT48LC16M8A2P-6A IT:L TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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