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AS7C164A-15JINTR

AS7C164A-15JINTR

참조 용

부품 번호 AS7C164A-15JINTR
PNEDA 부품 번호 AS7C164A-15JINTR
설명 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS7C164A-15JINTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS7C164A-15JINTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS7C164A-15JINTR, AS7C164A-15JINTR 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 2,032.98 KB)
PDFAS7C164A-15PIN 데이터 시트 표지
AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 2 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 3 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 4 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 5 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 6 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 7 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 8 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 9 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 10 AS7C164A-15PIN 데이터 시트 페이지 11

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AS7C164A-15JINTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOJ

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

71V25761S183BG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

183MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

MTFC4GMUEA-WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-WFBGA

공급자 장치 패키지

153-WFBGA (11.5x13)

71V65903S85BQG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

IS61VPS102418A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

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