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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

참조 용

부품 번호 AS4C8M16SA-6TIN
PNEDA 부품 번호 AS4C8M16SA-6TIN
제조업체 Alliance Memory, Inc.
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 8,168
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
예상 배송 5월 15 - 5월 20 (신속 배송 선택)
보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C8M16SA-6TIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
Mfr. 부품 번호AS4C8M16SA-6TIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C8M16SA-6TIN, AS4C8M16SA-6TIN 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 1,189.41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 표지
AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 11

AS4C8M16SA-6TIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간5ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

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NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256b (16 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

93AA56CT-I/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

7133LA90GB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (2K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

68-BPGA

공급자 장치 패키지

68-PGA (29.46x29.46)

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

650ms

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

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