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AS4C64M16D3LA-12BANTR

AS4C64M16D3LA-12BANTR

참조 용

부품 번호 AS4C64M16D3LA-12BANTR
PNEDA 부품 번호 AS4C64M16D3LA-12BANTR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C64M16D3LA-12BANTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C64M16D3LA-12BANTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C64M16D3LA-12BANTR, AS4C64M16D3LA-12BANTR 데이터 시트 (총 페이지: 86, 크기: 2,461.57 KB)
PDFAS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 표지
AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 2 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 3 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 4 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 5 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 6 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 7 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 8 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 9 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 10 AS4C64M16D3LA-12BAN 데이터 시트 페이지 11

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  • AS4C64M16D3LA-12BANTR Distributor

AS4C64M16D3LA-12BANTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (8x13)

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Adesto Technologies

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-UBGA

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

AT24RF08CN-105C

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

450ns

전압-공급

2.4V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DS1350ABP-100

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-PowerCap™ Module

공급자 장치 패키지

34-PowerCap Module

MT29F32G08CBECBL73A3WC1P

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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