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AS4C4M16D1-5TINTR

AS4C4M16D1-5TINTR

참조 용

부품 번호 AS4C4M16D1-5TINTR
PNEDA 부품 번호 AS4C4M16D1-5TINTR
설명 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C4M16D1-5TINTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C4M16D1-5TINTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C4M16D1-5TINTR, AS4C4M16D1-5TINTR 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,740.93 KB)
PDFAS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 표지
AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 2 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 3 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 4 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 5 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 6 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 7 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 8 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 9 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 10 AS4C4M16D1-5TIN 데이터 시트 페이지 11

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AS4C4M16D1-5TINTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간700ps
전압-공급2.3V ~ 2.7V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지66-TSOP II

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

19ns

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (7.5x11)

7130SA55PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

CY7C1315TV18-167BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS49NLC96400-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (64M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-FCBGA (11x18.5)

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