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AS4C256M8D3-15BCN

AS4C256M8D3-15BCN

참조 용

부품 번호 AS4C256M8D3-15BCN
PNEDA 부품 번호 AS4C256M8D3-15BCN
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 5,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M8D3-15BCN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M8D3-15BCN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M8D3-15BCN, AS4C256M8D3-15BCN 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 2,101.53 KB)
PDFAS4C256M8D3-15BCN 데이터 시트 표지
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  • AS4C256M8D3-15BCN Distributor

AS4C256M8D3-15BCN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 90°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

관심을 가질만한 제품

93C56CT-I/MC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

IDT71V3579S80PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

AT49BV040-12JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

24AA08T-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (256 x 8 x 4)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

S34MS04G100BHI003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MS-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

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