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AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

참조 용

부품 번호 AS4C256M16D3A-12BAN
PNEDA 부품 번호 AS4C256M16D3A-12BAN
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M16D3A-12BAN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M16D3A-12BAN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M16D3A-12BAN, AS4C256M16D3A-12BAN 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 1,977.42 KB)
PDFAS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 표지
AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C256M16D3A-12BANTR 데이터 시트 페이지 11

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AS4C256M16D3A-12BAN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (8x13)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

IDT71V416S15PH

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

16Gb (2G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

AK6416AL

AKM Semiconductor Inc.

제조업체

AKM Semiconductor Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

4MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT27BV512-90TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

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