AS4C16M16MD1-6BIN
참조 용
| 부품 번호 | AS4C16M16MD1-6BIN |
| PNEDA 부품 번호 | AS4C16M16MD1-6BIN |
| 설명 | IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,164 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
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AS4C16M16MD1-6BIN 리소스
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AS4C16M16MD1-6BIN 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR |
| 메모리 크기 | 256Mb (16M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 15ns |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 60-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 60-FPBGA (8x9) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
