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APTM20HM16FTG

APTM20HM16FTG

참조 용

부품 번호 APTM20HM16FTG
PNEDA 부품 번호 APTM20HM16FTG
설명 MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,236
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM20HM16FTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM20HM16FTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTM20HM16FTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7220pF @ 25V
전력-최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4290pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

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시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DMN2028UFU-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

887pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4290pF @ 15V

전력-최대

2.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 6V

전력-최대

1.25W

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