APTM120H57FTG
참조 용
| 부품 번호 | APTM120H57FTG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM120H57FTG |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,118 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 13 - 11월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM120H57FTG 리소스
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APTM120H57FTG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 684mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5155pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 10V 전력-최대 4W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 12-SIP 공급자 장치 패키지 12-SIP |
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제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 88nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12400pF @ 20V 전력-최대 12W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 22-PowerTFDFN 공급자 장치 패키지 22-VSON-CLIP (5x6) |
