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APTM120A20SG

APTM120A20SG

참조 용

부품 번호 APTM120A20SG
PNEDA 부품 번호 APTM120A20SG
설명 MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,292
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 27 - 7월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM120A20SG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM120A20SG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTM120A20SG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs240mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs600nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds15200pF @ 25V
전력-최대1250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

62V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

전력-최대

2.27W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

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-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

118A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

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FDME1034CZT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (1.6x1.6)

FW276-TL-2H

ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.1Ohm @ 350mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 20V

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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