APTM10DSKM09T3G
참조 용
| 부품 번호 | APTM10DSKM09T3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM10DSKM09T3G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,070 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM10DSKM09T3G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM10DSKM09T3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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- APTM10DSKM09T3G Distributor
APTM10DSKM09T3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 139A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 49A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7200pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A, 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 25V 전력-최대 23W, 50W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) |
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