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APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

참조 용

부품 번호 APTM100DU18TG
PNEDA 부품 번호 APTM100DU18TG
설명 MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,214
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM100DU18TG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM100DU18TG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM100DU18TG, APTM100DU18TG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 291.01 KB)
PDFAPTM100DU18TG 데이터 시트 표지
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  • APTM100DU18TG Distributor

APTM100DU18TG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)43A
Rds On (최대) @ Id, Vgs210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs372nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10400pF @ 25V
전력-최대780W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMN3033LSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

725pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

VMM90-09P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SH8M3TB1

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTC60DDAM45CT1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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