APTM100A23SCTG
참조 용
| 부품 번호 | APTM100A23SCTG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100A23SCTG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,876 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 6 - 7월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100A23SCTG 리소스
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APTM100A23SCTG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| 전력-최대 | 694W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 400mA, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 26.2pF @ 10V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 850pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1200pF @ 10V 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-UFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지 4-WLCSP (1.57x1.57) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 36pF @ 25V 전력-최대 445mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 5.5V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 0.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 5V 전력-최대 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-UFLGA, CSP 공급자 장치 패키지 20-WLCSP (2.48x1.17) |
