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APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G

참조 용

부품 번호 APTGFQ25H120T2G
PNEDA 부품 번호 APTGFQ25H120T2G
설명 IGBT 1200V 40A 227W MODULE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 5 - 7월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGFQ25H120T2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGFQ25H120T2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGFQ25H120T2G, APTGFQ25H120T2G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 549.46 KB)
PDFAPTGFQ25H120T2G 데이터 시트 표지
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  • APTGFQ25H120T2G Distributor

APTGFQ25H120T2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT and Fieldstop
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대227W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.02nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SP2
공급자 장치 패키지SP2

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4930A

전력-최대

19000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 3.6kA

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT300A60D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

940W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

IRG5U200HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

285A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

22.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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POWIR® 62

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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