APTC90HM60T3G
참조 용
| 부품 번호 | APTC90HM60T3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC90HM60T3G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,456 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC90HM60T3G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC90HM60T3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC90HM60T3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 59A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| 전력-최대 | 462W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 75pF @ 15V 전력-최대 390mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 68mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 355pF @ 10V 전력-최대 710mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1850pF @ 20V 전력-최대 48W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 353pF @ 15V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WSON (2x2) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8.5pF @ 3V 전력-최대 200mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 US6 |
