APTC90H12SCTG
참조 용
| 부품 번호 | APTC90H12SCTG |
| PNEDA 부품 번호 | APTC90H12SCTG |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,816 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC90H12SCTG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC90H12SCTG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC90H12SCTG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| 전력-최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 25V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 870pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 P-DSO-8 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
