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APTC60DDAM70T1G

APTC60DDAM70T1G

참조 용

부품 번호 APTC60DDAM70T1G
PNEDA 부품 번호 APTC60DDAM70T1G
설명 MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60DDAM70T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60DDAM70T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60DDAM70T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7000pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 25V

전력-최대

34W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

108mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

568W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 4.38mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5180pF @ 10V

전력-최대

1.7W, 2.5W

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1390pF @ 10V

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