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APTC60AM83BC1G

APTC60AM83BC1G

참조 용

부품 번호 APTC60AM83BC1G
PNEDA 부품 번호 APTC60AM83BC1G
설명 MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60AM83BC1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60AM83BC1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60AM83BC1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET 기능Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs83mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs250nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
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Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1840pF @ 800V

전력-최대

20mW

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FF11MR12W1M1B11BOMA1

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제조업체

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 40mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

250nC @ 15V

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