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APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

참조 용

부품 번호 APT75GN60LDQ3G
PNEDA 부품 번호 APT75GN60LDQ3G
설명 IGBT 600V 155A 536W TO264
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $162.6143
50 ---------- $154.9917
100 ---------- $147.3692
200 ---------- $139.7466
400 ---------- $133.3945
500 ---------- $127.0424
재고 있음 7,277
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APT75GN60LDQ3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT75GN60LDQ3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT75GN60LDQ3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)155A
전류-수집기 펄스 (Icm)225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 75A
전력-최대536W
에너지 전환2500µJ (on), 2140µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지485nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C47ns/385ns
테스트 조건400V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지TO-264 [L]

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

2.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

89nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/260ns

테스트 조건

720V, 32A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

RGW00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

89W

에너지 전환

1.18mJ (on), 960µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

141nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/180ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

FGB7N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 7A

전력-최대

83W

에너지 전환

99µJ (on), 104µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.9ns/32.3ns

테스트 조건

400V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

32.3ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

480W

에너지 전환

5.25mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

192nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/314ns

테스트 조건

600V, 40A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

258ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

TIG066SS-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 4V, 150A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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8-SOP

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TEPT4400

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NJW21194G

NJW21194G

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BFG591,115

BFG591,115

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GP2D005A120A

GP2D005A120A

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2

MC9RS08KA2CSC

MC9RS08KA2CSC

NXP

IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC