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APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

참조 용

부품 번호 APT25GR120BSCD10
PNEDA 부품 번호 APT25GR120BSCD10
설명 IGBT 1200V 75A 521W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT25GR120BSCD10 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT25GR120BSCD10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT25GR120BSCD10, APT25GR120BSCD10 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 1,088.85 KB)
PDFAPT25GR120SSCD10 데이터 시트 표지
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  • APT25GR120BSCD10 Distributor

APT25GR120BSCD10 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
전력-최대521W
에너지 전환434µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/122ns
테스트 조건600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

76A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

전력-최대

268W

에너지 전환

390µJ (on), 632µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/105ns

테스트 조건

400V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IKP40N65F5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

74A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

255W

에너지 전환

360µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/160ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

RJH60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

전력-최대

40W

에너지 전환

230µJ (on), 290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/80ns

테스트 조건

300V, 22A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

APT68GA60B2D40

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

121A

전류-수집기 펄스 (Icm)

202A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

520W

에너지 전환

715µJ (on), 607µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/133ns

테스트 조건

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

IRG4BC15UD-SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

전력-최대

49W

에너지 전환

240µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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