APT130SM70B
참조 용
| 부품 번호 | APT130SM70B |
| PNEDA 부품 번호 | APT130SM70B |
| 설명 | MOSFET N-CH 700V TO247 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,262 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT130SM70B 리소스
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APT130SM70B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 700V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 110A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 60A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 220nC @ 20V |
| Vgs (최대) | +25V, -10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3950pF @ 700V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 556W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 54mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 245pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-DFN (1.6x1.6) 패키지 / 케이스 6-PowerUFDFN |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.5A (Ta), 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 774pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MESH OVERLAY™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2420pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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