AOW29S50
참조 용
부품 번호 | AOW29S50 |
PNEDA 부품 번호 | AOW29S50 |
설명 | MOSFET N-CH 500V 29A TO262 |
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 3,454 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AOW29S50 리소스
브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | AOW29S50 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
데이터 시트 |
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AOW29S50 사양
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
시리즈 | aMOS™ |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 26.6nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±30V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1312pF @ 100V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 357W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
공급자 장치 패키지 | TO-262 |
패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 625mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |