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AON6934A

AON6934A

참조 용

부품 번호 AON6934A
PNEDA 부품 번호 AON6934A
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
설명 MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 350
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
예상 배송 5월 15 - 5월 20 (신속 배송 선택)
보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6934A 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
Mfr. 부품 번호AON6934A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON6934A, AON6934A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 633.15 KB)
PDFAON6934A 데이터 시트 표지
AON6934A 데이터 시트 페이지 2 AON6934A 데이터 시트 페이지 3 AON6934A 데이터 시트 페이지 4 AON6934A 데이터 시트 페이지 5 AON6934A 데이터 시트 페이지 6 AON6934A 데이터 시트 페이지 7 AON6934A 데이터 시트 페이지 8 AON6934A 데이터 시트 페이지 9 AON6934A 데이터 시트 페이지 10

AON6934A 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1037pF @ 15V
전력-최대3.6W, 4.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

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    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

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6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP

공급자 장치 패키지

15-SIP

PMDXB550UNEZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

590mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.05nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30.3pF @ 15V

전력-최대

285mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010B-6

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

전력-최대

2.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8 (Type D)

ZXMD63P02XTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

1.04W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

PMGD370XN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

740mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.65nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37pF @ 25V

전력-최대

410mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

Certificates

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