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AOD603A

AOD603A

참조 용

부품 번호 AOD603A
PNEDA 부품 번호 AOD603A
설명 MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD603A 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD603A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AOD603A, AOD603A 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 392.36 KB)
PDFAOD603A 데이터 시트 표지
AOD603A 데이터 시트 페이지 2 AOD603A 데이터 시트 페이지 3 AOD603A 데이터 시트 페이지 4 AOD603A 데이터 시트 페이지 5 AOD603A 데이터 시트 페이지 6 AOD603A 데이터 시트 페이지 7 AOD603A 데이터 시트 페이지 8 AOD603A 데이터 시트 페이지 9 AOD603A 데이터 시트 페이지 10 AOD603A 데이터 시트 페이지 11

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AOD603A 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel, Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds540pF @ 30V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지TO-252-4L

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

470pF @ 25V

전력-최대

4W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

XP0187800L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

공급자 장치 패키지

SMini5-G1

AO6601

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

FDS6812A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1082pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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