ALD110908ASAL
참조 용
| 부품 번호 | ALD110908ASAL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD110908ASAL |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,946 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD110908ASAL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD110908ASAL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD110908ASAL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | EPAD® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12mA, 3mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 810mV @ 1µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 16V 전력-최대 1.42W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 317A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 448nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 27400pF @ 25V 전력-최대 1136W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A, 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 260pF @ 15V 전력-최대 1.25W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 Micro8™ |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 605pF @ 15V 전력-최대 800mW, 810mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3x3) |
