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AFV121KHR5

AFV121KHR5

참조 용

부품 번호 AFV121KHR5
PNEDA 부품 번호 AFV121KHR5
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFV121KHR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFV121KHR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFV121KHR5, AFV121KHR5 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,016.94 KB)
PDFAFV121KGSR5 데이터 시트 표지
AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 2 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 3 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 4 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 5 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 6 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 7 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 8 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 9 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 10 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 11

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AFV121KHR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수960MHz ~ 1.22GHz
이득19.6dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1000W
전압-정격112V
패키지 / 케이스SOT-979A
공급자 장치 패키지NI-1230-4H

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제조업체

NXP USA Inc.

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10V

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소음 수치

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현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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PTF210451E V1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-30265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 2.2GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

52dBm

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

20.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

270W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

MAGX-000035-01500P

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3.5GHz

이득

14dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

현재-테스트

35mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

14-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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