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A4919GETTR-3-T

A4919GETTR-3-T

참조 용

부품 번호 A4919GETTR-3-T
PNEDA 부품 번호 A4919GETTR-3-T
설명 THREE PHASE MOSFET DRIVER W/ON-B
제조업체 Allegro MicroSystems, LLC
단가 견적 요청
재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A4919GETTR-3-T 리소스

브랜드 Allegro MicroSystems, LLC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A4919GETTR-3-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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A4919GETTR-3-T 사양

제조업체Allegro MicroSystems, LLC
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급5.5V ~ 50V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 1.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형TTL
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)35ns, 20ns
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지28-QFN-EP (5x5)

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 24V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

350ns, 250ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

ZXGD3006E6TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, SiC MOSFET

전압-공급

40V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10A, 10A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

48ns, 35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

IR2153PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

2SP0115T2C0-17

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

8A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1700V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

EL7212CSZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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