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A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6

참조 용

부품 번호 A3T18H455W23SR6
PNEDA 부품 번호 A3T18H455W23SR6
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,796
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A3T18H455W23SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A3T18H455W23SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A3T18H455W23SR6, A3T18H455W23SR6 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 499.13 KB)
PDFA3T18H455W23SR6 데이터 시트 표지
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A3T18H455W23SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.805GHz ~ 1.88GHz
이득16.7dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력192W
전압-정격65V
패키지 / 케이스ACP-1230S-4L2S
공급자 장치 패키지ACP-1230S-4L2S

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3GHz

이득

14dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

SOT-1228B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270-2 GULL

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

GTVA104001FA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

400W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37265J-2

공급자 장치 패키지

H-37265J-2

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