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A2T18S166W12SR3

A2T18S166W12SR3

참조 용

부품 번호 A2T18S166W12SR3
PNEDA 부품 번호 A2T18S166W12SR3
설명 FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,334
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T18S166W12SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T18S166W12SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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A2T18S166W12SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.805GHz ~ 1.995GHz
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력38W
전압-정격28V
패키지 / 케이스NI-780-2S2L
공급자 장치 패키지NI-780-2S2L

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Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SPF-3143

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제조업체

RFMD

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

1.9GHz

이득

19.9dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

180mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

40mA

전원-출력

17.7dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

-

BLL8H0514L-130U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

130W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-1135A

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

BG3130RE6327BTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

800MHz

이득

24dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

14mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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