A2T18H100-25SR3
참조 용
| 부품 번호 | A2T18H100-25SR3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | A2T18H100-25SR3 | ||||||||||||||||||
| 설명 | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 649 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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A2T18H100-25SR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2T18H100-25SR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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- A2T18H100-25SR3 Distributor
A2T18H100-25SR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.81GHz |
| 이득 | 18.1dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 230mA |
| 전원-출력 | 18W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780-4S4 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780-4S4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 600MHz 이득 25dB 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 300W 전압-정격 50V 패키지 / 케이스 NI-780GS-4L 공급자 장치 패키지 NI-780GS-4L |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 920MHz ~ 960MHz 이득 19dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 600mA 전원-출력 630W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 HB2SOF-6-1 공급자 장치 패키지 PG-HB2SOF-6-1 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 HFET 주파수 20GHz 이득 13.5dB 전압-테스트 2V 전류 정격 (Amps) 70mA 소음 수치 0.65dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 4V 패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 S03 |
