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71V3558SA133BQGI

71V3558SA133BQGI

참조 용

부품 번호 71V3558SA133BQGI
PNEDA 부품 번호 71V3558SA133BQGI
설명 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 8,334
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

71V3558SA133BQGI 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호71V3558SA133BQGI
분류반도체메모리 IC기억

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71V3558SA133BQGI 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기4.5Mb (256K x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간4.2ns
전압-공급3.135V ~ 3.465V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-TBGA
공급자 장치 패키지165-CABGA (13x15)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-LFBGA

공급자 장치 패키지

144-LFBGA (12x12)

MT46V32M16CV-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x12.5)

MT29F64G08AECABH1-10Z:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-VBGA

공급자 장치 패키지

100-VBGA (12x18)

AT28C010E-12FM/883

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-CFlatpack

공급자 장치 패키지

32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

S71KL512SC0BHV000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperFlash™ + HyperRAM™ KL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, DRAM

메모리 크기

512Mbit Flash, 64Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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24-FBGA (6x8)

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