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6N136

6N136

참조 용

부품 번호 6N136
PNEDA 부품 번호 6N136_177
제조업체 Isocom Components 2004 LTD
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 2,337
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
예상 배송 5월 10 - 5월 15 (신속 배송 선택)
보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

6N136 리소스

브랜드 Isocom Components 2004 LTD
Mfr. 부품 번호6N136
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
6N136, 6N136 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 2,353.14 KB)
PDF6N135SMT/R 데이터 시트 표지
6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 2 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 3 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 4 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 5 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 6 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 7 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 8 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 9 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 10 6N135SMT/R 데이터 시트 페이지 11

6N136 사양

제조업체Isocom Components 2004 LTD
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대)50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)150ns, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)20V
전류-출력 / 채널8mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대)25mA
Vce 포화 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

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    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

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전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

40V

전류-출력 / 채널

40mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SSOP

CNY75B

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5.5µs, 4µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

FODM452R1V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

50% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

400ns, 350ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

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전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

25µs, 18µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

25V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

Certificates

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