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5LN01SP

5LN01SP

참조 용

부품 번호 5LN01SP
PNEDA 부품 번호 5LN01SP
설명 MOSFET N-CH 50V 0.1A
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,978
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

5LN01SP 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호5LN01SP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
5LN01SP, 5LN01SP 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 944.11 KB)
PDF5LN01SP-AC 데이터 시트 표지
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  • 5LN01SP Distributor

5LN01SP 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.57nC @ 10V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6.6pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)250mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지3-SPA
패키지 / 케이스SC-72

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

79pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PSMN3R4-30BL,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3907pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSR316PH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

360mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 360mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 170µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SC-59

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFS7730PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

407nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13660pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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