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30EPH06

30EPH06

참조 용

부품 번호 30EPH06
PNEDA 부품 번호 30EPH06
설명 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,886
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

30EPH06 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호30EPH06
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
30EPH06, 30EPH06 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 91.37 KB)
PDF30EPH06 데이터 시트 표지
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  • 30EPH06 Distributor

30EPH06 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈FRED Pt®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.6V @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-2
공급자 장치 패키지TO-247AC Modified
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 12A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VS-50WQ04FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

5.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

510mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

405pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

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S12D

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 12A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

FR105G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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