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2SC6026MFV-Y,L3F

2SC6026MFV-Y,L3F

참조 용

부품 번호 2SC6026MFV-Y,L3F
PNEDA 부품 번호 2SC6026MFV-Y-L3F
설명 NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC6026MFV-Y 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC6026MFV-Y,L3F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2SC6026MFV-Y 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

전력-최대

625mW

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

240mV @ 200mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

165MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

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