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2SC5085-O(TE85L,F)

2SC5085-O(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SC5085-O(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SC5085-O-TE85L-F
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,320
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5085-O(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5085-O(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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2SC5085-O(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1dB @ 500MHz
이득-
전력-최대100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지USM

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제조업체

CEL

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

17dB ~ 23dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

-

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

이득

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전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-623F

공급자 장치 패키지

M03

BFP182WE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

22dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

BFR193L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

12.5dB ~ 19dB

전력-최대

580mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

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