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2SC5065-Y(TE85L,F)

2SC5065-Y(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SC5065-Y(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SC5065-Y-TE85L-F
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 23,124
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5065-Y(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5065-Y(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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2SC5065-Y(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득12dB ~ 17dB
전력-최대100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)30mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지USM

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

16V

주파수-전환

870MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9.5dB

전력-최대

2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

13dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

7.5dB

전력-최대

30W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

3.6A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

18.5dB

전력-최대

175mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

이득

11dB

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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