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2SC4117-GR,LF

2SC4117-GR,LF

참조 용

부품 번호 2SC4117-GR,LF
PNEDA 부품 번호 2SC4117-GR-LF
설명 NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC4117-GR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC4117-GR,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2SC4117-GR,LF Distributor

2SC4117-GR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

36V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

0°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZXTP2008GTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

210mV @ 500mA, 5.5A

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

전력-최대

3W

주파수-전환

110MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

KSC2330OBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 4V

전력-최대

35W

주파수-전환

24MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

MCH3145-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

330mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

420MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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