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2SC4027S-E

2SC4027S-E

참조 용

부품 번호 2SC4027S-E
PNEDA 부품 번호 2SC4027S-E
설명 TRANS NPN 160V 1.5A TP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 29 - 7월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC4027S-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC4027S-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC4027S-E, 2SC4027S-E 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 302.61 KB)
PDF2SC4027T-E 데이터 시트 표지
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2SC4027S-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic450mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 5V
전력-최대1W
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지TP

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

전력-최대

650mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BUL743

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 2.5A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

24 @ 2A, 3V

전력-최대

100W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

2SA1020-Y(T6OMI,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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