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2SC3356-A

2SC3356-A

참조 용

부품 번호 2SC3356-A
PNEDA 부품 번호 2SC3356-A
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC3356-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC3356-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
2SC3356-A, 2SC3356-A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 2,238.37 KB)
PDF2SC3356-T1B-R25-A 데이터 시트 표지
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2SC3356-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득11.5dB
전력-최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

25GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

이득

21dB

전력-최대

160mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

AT-32011-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

이득

12.5dB ~ 14dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

MRF586

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

17V

주파수-전환

3GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

13.5dB

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

MPSH10RLRAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MCH4015-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

17dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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