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2SC2714-O(TE85L,F)

2SC2714-O(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SC2714-O(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SC2714-O-TE85L-F
설명 RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 29,964
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC2714-O(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2714-O(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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2SC2714-O(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
주파수-전환550MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)2.5dB @ 100MHz
이득23dB
전력-최대100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대)20mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지S-Mini

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CEL

제조업체

CEL

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

16V

주파수-전환

470MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

12.5dB

전력-최대

3W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323-3

MPS3563

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

이득

14dB @ 200MHz

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

MPS5179G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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