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2SC2235-Y(T6FJT,FM

2SC2235-Y(T6FJT,FM

참조 용

부품 번호 2SC2235-Y(T6FJT,FM
PNEDA 부품 번호 2SC2235-Y-T6FJT-FM
설명 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC2235-Y(T6FJT 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2235-Y(T6FJT,FM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2235-Y(T6FJT, 2SC2235-Y(T6FJT 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 128.05 KB)
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2SC2235-Y(T6FJT 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 160mA, 800mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 100mA, 5V

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 250mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 1V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-202

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

2nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

600 @ 10mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 290mA, 5.8A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V

전력-최대

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