2SB1565FU6E
참조 용
| 부품 번호 | 2SB1565FU6E |
| PNEDA 부품 번호 | 2SB1565FU6E |
| 설명 | TRANS PNP 60V 3A TO220FN |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,922 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SB1565FU6E 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SB1565FU6E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SB1565FU6E 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 3A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 60V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 200mA, 2A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| 전력-최대 | 2W |
| 주파수-전환 | 15MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220FN |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V 전력-최대 1.56W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 전력-최대 1W 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-226-3 |
