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2SA965-O(TE6,F,M)

2SA965-O(TE6,F,M)

참조 용

부품 번호 2SA965-O(TE6,F,M)
PNEDA 부품 번호 2SA965-O-TE6-F-M
설명 TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA965-O(TE6 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA965-O(TE6,F,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA965-O(TE6, 2SA965-O(TE6 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 144.58 KB)
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2SA965-O(TE6 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지LSTM

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 160mA, 800mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 800mA, 5V

전력-최대

3W

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

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주파수-전환

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

26 @ 2A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

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