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2SA1955FVBTPL3Z

2SA1955FVBTPL3Z

참조 용

부품 번호 2SA1955FVBTPL3Z
PNEDA 부품 번호 2SA1955FVBTPL3Z
설명 TRANS PNP 12V 0.4A VESM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1955FVBTPL3Z 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1955FVBTPL3Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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2SA1955FVBTPL3Z 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 2V
전력-최대100mW
주파수-전환130MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지VESM

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제조업체

ON Semiconductor

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 300mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 200mA, 5V

전력-최대

50W

주파수-전환

15MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 500mV

전력-최대

400mW

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Microsemi Corporation

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

900mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

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Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

430mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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